トランスフォームのSuperGaN FETがBoco Electronicsの高効率暗号マイニング用電源で威力を発揮

大電力の基幹業務用アプリケーション向けに設計したGaNデバイスにより、3.6kWの電源ユニットに低い総システムコストで高い信頼性をもたらす

（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq: TGAN) は、Boco Electronics（鉑科電子有限公司）と共に、同社の3.6kW電源にSuperGaN® FETが使用されていることを本日発表しました。この堅牢な12V AC-DC電源は、96%以上のピーク効率を達成し、暗号マイニングリグや高性能データセンターシステムなど、極めて要求の厳しいアプリケーションによる過酷な環境で使用できるよう設計したものです。特許取得済みのブリッジレストーテムポールPFCトポロジーに組み込んだトランスフォームのSuperGaNデバイスにより駆動されるこの電源の定格電力効率は、Boco Electronicsが従来のPFC構成で達成したものより約1%高く、36ワット低い�費電力となっています。またトーテムポールPFCトポロジーと本FETのTO-247パッケージにより、電源システム全体の部品点数を削減し、総システムコストを削減することもできます。

Hangzhou Boco Electronics Co., LTD.（杭州鉑科電子有限公司）のGolden Yin最高経�責任者（CEO）は、次のように述べています。「マイニングリグは365日24時間体�で稼働しています。これを前提に、当社のお客さまは、これらの集約型アプリケーションをサポートするために、より高い出力、高効率、高信頼性の電源を求めています。私たちは、当社の強力な設計能力と先進的な GaN ソリューションを組み合わせることで、このような要求に応えられると判断しました。GaNは一般的に適切な技術ですが、トランスフォームのSuperGaN製品は適切なデバイスでした。これらの製品は、他の選択肢と比較して、このような産業用アプリケーションで必要とされる高いフィールド信頼性を提供しながら、より高い出力範囲に適していることが証明されました。」

この電源で使用されているトランスフォームのデバイスは、JEDECに準拠したノーマリーオフ型650ボルトデバイスのTP65H035G4WSで、オン抵抗は35ミリオームとなっています。SuperGaN Gen IV製品ファミリーの一部であり、業界有数の±20ボルトのゲート堅牢性と業界最高の4ボルトのノイズ耐性閾値を提供します。

スイッチングの高速化と損失の低減を実現するトランスフォームのGaNは、Boco Electronicsが現行の同等電源で使用していた従来型MOSFETに取って代わるものです。さらに、インターリーブH（フルブリッジ）PFCやインターリーブDCM PFCの代わりに、先進のトーテムポールPFCを使用することが可能になります。その結果、システムの電力密度が向上し、冷却用エアフローを増加させるための追加スペースを確保することが可能になりました。注目すべき点として、この電源の開発はわずか6カ月しかかかっておらず、トランスフォームのデバイスの同義語である駆動のしやすさ、設計のしやすさを体現しています。

トランスフォームのアジア太平洋販売担当バイスプレジデントのケリー・イムは、次のように述べています。「大量のデータを処理しながら複雑な数学的問題を解決する暗号マイニングのような電力多�費型アプリケーションは、ハードウエアからエネルギー源まで、サポートするためのコストが一層高くなっています。実際、中国の地方政府の支援や水力発電からのより安価なエネルギー供給の恩恵を受けていたマイニング企業は、規�変更の結果、移転を余儀なくされています1。その結果、関連する大電力アプリケーションシステムのメーカーが、電力料金の上昇に対抗するために、性能と効率が著しく優れている GaN に目を向けているのです。これは、当社がそのGaNプラットフォームを強化・充実させ�ける中で、誇りを持ってサポートできる傾向です。」

Boco Electronicsの製品開発プロセスにおけるトランスフォームの役割は、トランジスターの供給にとどまりません。半導体企業である当社のテクニカルサポートチームは、Boco Electronicsのエンジニアリングチームと連携して、可能な限り最高のパフォーマンスを発揮できるよう、GaN技術の効果を確実に最大化させるため、設計の見直しを行いました。

提供について

3.6kWの電源は現在、販売中です。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000��の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り�え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。

SuperGaNマークはトランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて各所有者に帰属します。

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1 Feng, Coco. “Chinese bitcoin miner exodus faces hurdles as equipment remains stuck from shipment delays, tariffs and legal quagmire.” South China Morning Post, Feb 12, 2022. （中国のビットコインマイニング企業の脱出は、機器出荷の遅れというお手上げ�態、関税、法的苦境の壁に直面している。サウスチャイナ・モーニング・ポスト、2022年2月12日）

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