Transphorm stellt zwei 4-polige TO-247-Bauelemente vor und erweitert damit sein Produktportfolio für die Bereiche Hochleistungsserver, erneuerbare Energien und industrielle Energieumwandlung

Neue FETs dienen als Original-Design-in-Option oder Drop-in-Ersatz für SiC

Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, gab heute die Verfügbarkeit von zwei neuen SuperGaN®-Bauelementen in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse (TO-247-4L) bekannt. Die neuen FETs TP65H035G4YS und TP65H050G4YS bieten einen Durchlasswiderstand von 35 mOhm bzw. 50 mOhm und verfügen über einen Kelvin-Source-Anschluss, der den Kunden vielseitige Schaltm�glichkeiten bei noch geringeren Energieverlusten bietet. Die neuen Produkte werden in dem bewährten GaN-on-Silicon-Substrat-Herstellungsprozess von Transphorm gefertigt, der sich durch seine Kosteneffizienz und Zuverlässigkeit auszeichnet und gut für die Großserienfertigung auf Silizium-Produktionslinien geeignet ist. Der 50-mOhm-FET TP65H050G4YS ist bereits erhältlich, während der 35-mOhm-FET TP65H035G4YS derzeit bemustert wird und im ersten Quartal 2024 auf den Markt kommen soll.

Die 4-poligen SuperGaN-Bauelemente von Transphorm k�nnen als Original-Design-in-Option oder als Drop-in-Ersatz für 4-polige Silizium- und SiC-L�sungen dienen, die Stromversorgungen mit 1 Kilowatt und mehr in einer Vielzahl von Anwendungen in Rechenzentren, im Bereich der erneuerbaren Energien und in der Industrie unterstützen. Wie bereits erwähnt, bietet die 4-polige Konfiguration den Nutzern die Flexibilität, noch bessere Schaltleistungen zu erzielen. In einem hart geschalteten synchronen Aufwärtswandler verringerte der 4-polige SuperGaN-FET mit 35 mOhm die Verluste bei 50 Kilohertz (kHz) um 15 Prozent und bei 100 kHz um 27 Prozent, verglichen mit einem SiC-MOSFET-Bauelement mit vergleichbarem Durchlasswiderstand.

Die SuperGaN-FETs von Transphorm sind für ihre besonderen Vorteile bekannt, beispielsweise:

• Branchenführende Robustheit mit einer Gate-Schwellenspannung von +/- 20 V und einer St�rfestigkeit von 4 V.
• Einfachere Designbarkeit durch Verringerung der erforderlichen Beschaltung des Bauelements.
• Einfachere Steuerbarkeit, da FETs mit bekannten, handelsüblichen Treibern für Siliziumbauelemente kombinierbar sind.

Die TO-247-4L-Bauteile bieten die gleiche Robustheit, Designbarkeit und Steuerbarkeit und haben folgende Kernspezifikationen:

Teilenummer

Vds (V) min

Rds(on) (mΩ) typ

Vth (V) typ

Id (25°C) (A) max

Gehäusevariante

TP65H035G4YS

650

35

3,6

46,5

Source

TP65H050G4YS

650

50

4

35

Source

“Wir werden die Erweiterung unseres Produktportfolios fortsetzen, um GaN-FETs auf den Markt zu bringen, die den Kunden helfen, die Leistungsvorteile unserer SuperGaN-Plattform bei allen ihren Designanforderungen zu nutzen”, sagte Philip Zuk, Senior Vice President, Business Development and Marketing, bei Transphorm. “Das vierpolige TO-247-Gehäuse bietet Entwicklern und Kunden, die eine noch gr�ßere Senkung der Leistungsverluste bei geringfügigen oder gar keinen Designänderungen in Silizium- oder Siliziumkarbid-Systemen anstreben, eine hohe Flexibilität. Dies ist eine wichtige Ergänzung unserer Produktlinie, da wir jetzt in Anwendungen mit h�heren Leistungen vorstoßen.”

Verfügbarkeit

Muster der 35-mOhm- und 50-mOhm-TO-247-4L-FETs sind auf Anfrage beim Vertriebsteam von Transphorm unter [e-mail] erhältlich. Datenblätter für die einzelnen Bauelemente sind unter den nachstehenden Links zu finden:

• TP65H035G4YS-Datenblatt: https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/
• TP65H050G4YS-Datenblatt: https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der gr�ßten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte f�rdert Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 % h�here Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Follow us on Twitter @transphormusa and WeChat at Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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