トランスフォームとウェルトレンド・セミコンダクター、新型の統合型GaNシステムインパッケージをリリース

SuperGaNベースのSiPファミリーは3つのデバイスとなり、より幅広い次世代アダプタおよび充電器の電力レベルをサポート

（ビジネスワイヤ） -- 堅牢型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の世界的リーダーであるトランスフォーム（Nasdaq: TGAN）と、アダプターUSBパワーデリバリー（PD）コントローラ集積回路（IC）で世界をリードするウェルトレンド・セミコンダクター（TWSE: 2436）は、2つの新型GaNシステムインパッケージ（SiP）の発売開始を発表しました。新型デバイスは、昨年発表されたウェルトレンドのフラッグシップモデルのGaN SiPと組み合わせることで、トランスフォームのSuperGaN®プラットフォームをベースとする初のSiP製品ファミリーとなります。

新型SiP（WT7162RHUG24BおよびWT7162RHUG24C）は、ウェルトレンドの高周波マルチモード（QR/バレー スイッチング）フライバックPWMコントローラと、それぞれトランスフォームの150 mΩおよび480 mΩ SuperGaN FETを統合しています。 240 mΩの前モデル（WT7162RHUG24A）と同様、本デバイスはUSB PDまたはプログラマブル電源アダプタ コントローラと組み合わせることで、総合的なアダプタ ソリューションとなります。特に、UHVバレー追跡充電モード、適応型OCP補償、適応型グリーン モード�御などのいくつかの革新的な機能も提供し、顧客は最もシンプルな設計アプローチを使用しつつ、より少ないコンポーネントで高品質の電源をより迅速に設計することができます。

ウェルトレンドのマーケティング担当副社長のウェイン・ローは、「昨年、当社が初めてGaN SiPを発売したとき、それは当社の進化における重要なマイルストーンでした。これは、AC-DC電力市場向けの新しいGTM戦略を実証しました、本日のニュースは、当社がより幅広い製品の電力レベルをサポートするように設計された、より幅広いデバイスの選択肢で当分野にサービスを提供し�けていることを裏付けています。トランスフォームのSuperGaNプラットフォームを用いたトータル パッケージ ソリューションは、30 Wと�費電力の小さなUSB-C PD電源アダプタから、トランスフォームならではのGaNである約200 Wの充電器に至るまで、デバイスに比類のないパフォーマンスを提供しつつ、設計の簡素化を実現しています」と述べています。

最終製品メーカーは、部品点数（BOM）を削減し、多用途性、高速充電、高出力を実現する新型アダプターの開発方法を模索しています。さらに、多くの場合、複数のポートや種類の接�部を備えた、いわば「フリーサイズ」の充電器を提供しようとしています。これらはすべて、小型軽量のフォームファクターで実現する必要があります。

トランスフォームのノーマリーオフdモードSuperGaNプラットフォームの主なメリットには、クラス最高の堅牢性（+/- 20 Vのゲート マージンと4 Vのノイズ耐性）および信頼性（< 0.05 FIT）、そしてシリコンを50％上回る電力密度向上機能が含まれます。ウェルトレンドの洗練されたなSiP設計は、これらのメリットと独自の革新的テクノロジーを活用し、フォーム ファクター サイズを削減しながら設計を高速化する、ほぼプラグ・アンド・プレイのソリューションを生み出します。

トランスフォームのワールドワイド セールスおよび FAE 担当副社長であるトゥシャー・ダイグーデは、「アダプターと充電器のメーカーのニーズを考慮すると、SiPは重要なデバイス オプションです。これらのシステムには、統合された機能で使いやすい効果的な電力変換が必要ですが、当社は、学習曲線を最小限に抑えつつ迅速な設計を実現します。初めてリリースされたデバイスは、SuperGaN SiPの性能と多用途性を検証しました。 本日発表された新型デバイスは、顧客に選択肢を提供するという両社の取り組みを裏付けています」と述べています。

主な仕様

 

WT7162RHUG24A

WT7162RHUG24B (新製品)

WT7162RHUG24C (新製品)

Rds(on)

240 mΩ

150 mΩ

480 mΩ

Vds min

650 V

出力効率

> 93%

出力密度

26 w/in 3

最大周波数

180 kHz

ワイドオペレーション 電圧オペレーション

USB-C PD 3.0 PPS 3.3V~21V

パッケージ

24ピン 8x8 QFN

主な特徴

特徴

利点

調整可能なGaN FETゲートスルーレート�御

効率とEMI準拠のバランス

外部VDDリニアレギュレータ回路は不要 （700 Vの�HV起動電流はAC電源電圧から直接提供されます）

部品点数の削減

パッケージ インダクタンスの低減

チップのパフォーマンスを最大化

標準の8x8 QFN FFに適合

薄型/小型のシステム設置場所を実現

対象アプリケーションと提供開始磁気

ウェルトレンドのSuperGaN SiPファミリは、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、ヘッドフォン、ドローン、スピーカー、カメラなどのモバイル/IoTデバイス用の高性能かつ薄型USB-C電源アダプタでの使用に最適化されています。

追加デバイスの仕様については、以下のデータシートに詳しく説明されています。

• WT7162RHUG24A（240 mΩ）: http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610
• WT7162RHUG24B（150 mΩ）: http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633
• WT7162RHUG24C（480 mΩ）: http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634

2つの新型デバイス（WT7162RHUG24BおよびWT7162RHUG24C）は、現在サンプルを提供中です。詳細は、[e-mail]までお問い合わせください。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム社は、高性能かつ信頼性の高い、高圧電力変換アプリケーション用のGaN系半導体を設計・製造しています。1000を�える所有特許またはライセンス特許を含む最大規模のパワーGaNのIPポートフォリオの1つを有する同社は、業界初の JEDECおよびAEC-Q101認定の高電圧GaN系半導体デバイスを製造しています。また、垂直統合型デバイスビジネスモデルにより、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社の革新により、パワーエレクトロニクスがシリコンの限界を�え、99%以上の効率、50%高い出力密度、20%のシステムコスト削減を実現します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、ゴリータと日本の会津に製造拠点を置いています。詳細は、www.transphormusa.comでご覧いただくか、X（@transphormusa）およびWeChat（Transphorm_GaN）でフォローしてください。

ウェルトレンド・セミコンダクター社について

ウェルトレンド・セミコンダクター（TWSE: 2436）は、1989年に「台湾のシリコンバレー」である新竹サイエンス パークに設立され、混合半導体の計画、設計、テスト、アプリケーション開発、販売を専門とする大手ファブレス半導体企業です。電源、モーター�御、画像処理など、複数のアプリケーションにわたる信号/デジタルIC製品を提供しています。 詳細は、www.weltrend.comをご覧ください。

SuperGaNマークは、Transphorm, Inc.の登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。

businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20240424226420/ja/

Press Contact: Heather Ailara +1.973.567.6040 [e-mail]