Die SuperGaN-FETs von Transphorm betreiben das hocheffiziente Netzgerät von Boco Electronics für den Bereich Krypto-Mining

GaN-Bauteile für hochleistungsfähige, geschäftskritische Anwendungen sorgen für eine hohe Zuverlässigkeit des 3,6-kW-Netzteils bei niedrigeren Gesamtsystemkosten

Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Vorreiter und weltweiter Lieferant von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid-Produkten („GaN“) für die Stromumwandlung – gab heute zusammen mit Boco Electronics bekannt, dass das 3,6 kW-Netzteil des Elektronikunternehmens SuperGaN®-FETs verwendet. Das solide 12-Volt-AC/DC-Netzteil erreicht einen Spitzenwirkungsgrad von mehr als 96 % und ist für den Einsatz in extremen Umgebungen konzipiert, die durch besonders anspruchsvolle Anwendungen wie Krypto-Mining-Anlagen und Hochleistungs-Rechenzentrumssysteme bedingt sind. Dank der SuperGaN-Bauelemente von Transphorm in einer patentierten überbrückungsfreien Totem-Pole-PFC-Topologie liegt der Wirkungsgrad um fast 1 Prozent h�her oder 36 Watt niedriger als der von Boco Electronics in konventionellen PFC-Konfigurationen erzielte Stromverbrauch. Die Totem-Pole-PFC-Topologie in Kombination mit dem TO-247-Gehäuse des FET erm�glicht außerdem eine Verringerung der Anzahl der Komponenten des gesamten Stromversorgungssystems, wodurch sich wiederum die Gesamtkosten des Systems verringern.

„Mining-Anlagen laufen 24 Stunden am Tag, sieben Tage die Woche. Daher ben�tigen unsere Kunden Netzteile mit h�herer Leistung, h�herem Wirkungsgrad und h�herer Zuverlässigkeit, um diese intensiven Anwendungen zu unterstützen“, sagte Golden Yin, CEO von Hangzhou Boco Electronics Co., LTD. „Wir wussten, dass wir diese Anforderungen erfüllen konnten, wenn wir unsere hervorragenden Designfähigkeiten mit fortschrittlichen GaN-L�sungen zusammenbringen. Während GaN im Allgemeinen die richtige Technologie darstellt, waren die SuperGaN-Produkte von Transphorm die richtigen Geräte. Sie erwiesen sich als deutlich besser geeignet für die h�heren Leistungsstufen und boten im Vergleich zu alternativen Optionen die für solche industriellen Anwendungen erforderliche h�here Zuverlässigkeit im Feld.“

Bei dem für die Stromversorgung verwendeten Transphorm-Bauelement handelt es sich um das JEDEC-zertifizierte TP65H035G4WS, ein normally-off 650-Volt-Bauelement mit einem Durchlasswiderstand von 35 Milliohm. Als Teil der SuperGaN Gen IV-Produktfamilie bietet es eine branchenführende Gate-Festigkeit von ±20 Volt mit dem branchenweit besten Schwellenwert für St�rfestigkeit von 4 Volt.

Dank schnellerer Schaltvorgänge und geringerer Verluste ersetzt die GaN-Technologie von Transphorm die konventionellen MOSFETs, die von Boco Electronics in ähnlichen Netzteilen eingesetzt werden. Darüber hinaus kann Boco Electronics die moderne Totem-Pole-PFC anstelle von Interleaving-H-PFC (Vollbrücke) oder Interleaving-DCM-PFC verwenden. Die resultierende Leistungsdichte des Systems wurde erh�ht, so dass mehr Platz für einen gr�ßeren Kühlluftstrom zur Verfügung steht. Die Entwicklung des Netzteils dauerte nur sechs Monate und steht im Einklang mit der einfachen Ansteuerbarkeit und Designfähigkeit, die für die Geräte von Transphorm typisch sind.

„Leistungsintensive Anwendungen wie das Krypto-Mining, bei denen komplexe mathematische Probleme gel�st und gleichzeitig riesige Datenmengen verarbeitet werden, werden immer teurer, sowohl in Bezug auf die Hardware als auch auf die Energieressourcen. Aufgrund regulatorischer Änderungen1 sind Mining-Farmen, die früher von der Unterstützung der �rtlichen Regierung und der günstigeren Energieversorgung durch Wasserkraft in China profitierten, nun gezwungen, ihren Standort zu verlagern“, sagte Kenny Yim, Vice President des Bereichs Asia Pacific Sales bei Transphorm. „Folglich beobachten wir, dass sich die Hersteller entsprechender Hochleistungssysteme GaN zunutze machen, um mit deutlich besserer Leistung und Effizienz gegen h�here Strompreise anzukämpfen. Wir sind stolz darauf, diesen Trend zu unterstützen, indem wir unsere GaN-Plattform weiter stärken und ausbauen.“

Die Rolle von Transphorm im Produktentwicklungsprozess von Boco Electronics ging über die Lieferung von Transistoren hinaus. Das technische Supportteam des Halbleiterunternehmens hat mit dem Entwicklungsteam von Boco Electronics bei Designprüfungen zusammengearbeitet, um sicherzustellen, dass die GaN-Technologie für die bestm�gliche Leistungsfähigkeit optimiert wurde.

Verfügbarkeit

Das 3,6-kW-Netzteil ist aktuell verfügbar.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der gr�ßten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens erm�glicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Die SuperGaN-Marke ist eine eingetragene Marke von Transphorm, Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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1 Feng, Coco. „Chinese bitcoin miner exodus faces hurdles as equipment remains stuck from shipment delays, tariffs and legal quagmire.” („Der Exodus chinesischer Bitcoin-Miner st�ßt auf Hürden, da die Geräte aufgrund von Verz�gerungen bei der Auslieferung, Z�llen und juristischen Schwierigkeiten festsitzen“)South China Morning Post, 12. Feb. 2022.

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